Optimierung, Entwicklung und Beratung Beschichtungsprozesse
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- 50‐70€/Stunde
- 01309 Dresden
- Europa
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- 02.10.2023
Kurzvorstellung
- SiN, SiOx, SiCN, Si, a-C, DLC, BN Schichten
- Methodik: DOE, SPC, FMEA
- Analytik: Ellipsometrie, FTIR, Defekte, Stress
- Gebiet: Halbleiter (IC, PV), optische Vergütung, Verschleißschutz
Qualifikationen
Projekt‐ & Berufserfahrung
12/2013 – offen
Tätigkeitsbeschreibung
Mit meiner langjährigen beruflichen Erfahrung im Bereich der Beschichtungstechnologie biete ich als selbständiger Ingenieur Beratung und konkrete Entwicklung/Optimierung von Beschichtungsprozessen an.
Schwerpunkt sind PE-CVD-Schichten, die eingesetzt werden
- in der Produktion von integrierten Schaltkreisen und Solarzellen
- in der Mikrosystemtechnik
- zur Verschleißminderung
- zur Vergütung von Gläsern
Durchgeführte Arbeiten als selbständiger Ingenieur (Zeitraum 2014-2016):
- Entwicklung Beschichtungsprozesse zur Vergütung von Display-Gläsern
- Branche: Anlagenbau - Vakuumbeschichtung
- Optimierung PECVD-Prozesstechnik für homogene, Kanten bedeckende Vergütung
- Zielvorgabe erreicht durch Modifikation Anlagentechnik und Prozessparameter
- Charakterisierung Proben mit Spektralellipsometrie
- Erstellung Überblick CVD-Verfahren zur Herstellung diamantähnlicher Schichten
- Branche: Auftragsbeschichtung - Medizinprodukte
- Einsatzmöglichkeit PECVD- als Alternative für PVD-Technologie zur DLC-Synthese
- Überblick über Stand der Technik und kommerziell verfügbare Anlagen
- Beratungsgespräche zur Verbesserung Stabilität PECVD-Prozesse
- Branche: Halbleiterfertigung
- Strategie für Reduktion-Prozesschwankungen bzw. Verbesserung Anlagen-Uptime
- Vorgehen zu Reduktion Metallkontamination und Stabilisierung TEOS-Prozess
Beschichten
1/2013 – 11/2013
TätigkeitsbeschreibungVorbereitung Selbständigkeit, fachliche Weiterbildung.
3/2009 – 12/2012
Tätigkeitsbeschreibung
• Verantwortlich für PECVD-Prozesse: Etch Stop-, ARC- u. Passivierungsschichten
• Entw. von high-Stress-Schichten für Steigerung Transistorperformance (Patente erstellt)
• Entw. von Cu-Deckschicht-Interfaces von hoher Zuverlässigkeit (Patente erst., 2 Paper)
• Anwendung statist. Methoden (DOE, SPC)
• Leitung KVP-Projekte Steigerung Anlagenproduktivität
• Mitarbeit an Forschungsprojekten inkl. Dokumentation
• Schulung Mitarbeiter in Prozesstechnologie
Beschichten
2/1999 – 2/2009
Tätigkeitsbeschreibung
• Entwicklung und Optimierung PECVD-Prozesse: Etch Stop-, ARC-Schichten, HDP STI-Fill
• Cu-Deckschicht-Interfaces von hoher Zuverlässigkeit
• KVP Projekte zur Kostenreduktion CVD Prozessierung
• Optimierung optische Schichtdickenmessung, Pflege der Messrezepte
• 06-2004: Beförderung zum Senior Prozessingenieur
• 01-2007: Beförderung zum MTS Prozessingenieur
Beschichten
10/1997 – 1/1999
Tätigkeitsbeschreibung
• erste 9 Monate: Training und Mitarbeit an Standorten in den USA (Mikroprozessorfertigung in Austin/TX und Entwicklung in Sunnyvale/CA)
• Identifizierung technisch-technologischer Probleme im Produktionsablauf im Bereich Thin Films
• Behebung der im Produktionsbetrieb auftretenden technischen Probleme mit dem Ziel, die Entwicklungs- und Produktionsziele einzuhalten
• Mitarbeit bei Tool-Evaluationen für die Ramp-Phase der hochzufahrenden Fab in Dresden
Beschichten
Zertifikate
Ausbildung
Kaiserslautern (Fernstudium)
Dresden
Freiburg i. Br.
Über mich
Weitere Kenntnisse
• insgesamt 15 Jahre Tätigkeit in zwei international geprägten Unternehmen der Halbleiterproduktion mit Schwerpunkt auf Entwicklung und Betreuung von PECVD-Prozessen für unterschiedliche, funktionale Schichtsysteme: Etch Stop-, ARC- u. Passivierungsschichten, HDP STI-Fill. Projekte u. a. Verbesserung Zuverlässigkeit Kupfer-Deckschicht-Interfaces; Erzeugung Schichten hohen Stresses sowie Stress-Relaxation, Kostenreduktion
• Entwicklung PECVD-Prozesse zur Vergütung von 2- und 3-dimensionalen Display-Gläsern
• Doktorarbeit zur Synthese diamantähnlicher Schichten mit Hilfe gepulster Laserstrahlung (PLD) und Promotionsstudium im Studiengang Werkstoffwissenschaft; Modellierung der Bildung diamantähnlicher Phasenanteile
• Diplomarbeit und wissenschaftlicher Mitarbeiter auf dem Gebiet der Herstellung photovoltaischer Absorberschichten mit CVD-Verfahren: Abscheidung dünner, dotierter Si-Schichten mit LPCVD; optisches Schmelzen dünner Si-Schichten; CVD-Abscheidung von GaInP2-Schichten
Außerdem seit 03/2016: zertifizierter Sicherheitsbeauftragter Medizinprodukte.
Persönliche Daten
- Deutsch (Muttersprache)
- Englisch (Fließend)
- Spanisch (Grundkenntnisse)
- Europäische Union
- Schweiz
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